半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202011256672.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112382599B | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN112382599B | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L21/683 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王淼;曾怀望;焦文龙;杨睿峰;李嗣晗 | 申请（专利权）人 | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京市汉坤律师事务所 | 代理人 | 初媛媛;吴丽丽 |
| 地址 | 401332 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种半导体器件的临时键合与解键合的方法以及半导体器件。该半导体器件的临时键合与解键合方法包括：在第一晶圆上形成第一金属层，第一晶圆中形成有器件结构并且第一金属层形成在第一晶圆的靠近器件结构的一侧；在第二晶圆上形成对应于第一金属层的第二金属层；将第二金属层键合至第一金属层，以使得第二晶圆键合至第一晶圆；在第一晶圆的远离器件结构的一侧进行背面工艺；通过电化学阳极金属溶解进行解键合，以使得第一晶圆与第二晶圆分离。 |
