基于二维材料的共电极三维器件结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110373665.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113113406A | 公开（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申请公布号 | CN113113406A | 申请公布日 | 2021-07-13 |
| 分类号 | H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛亚会;刘玉菲;张斌;程璐;张文元 | 申请（专利权）人 | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 401332重庆市沙坪坝区重庆市沙坪坝西园一路28号附2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种基于二维材料的共电极三维器件结构及其制作方法，三维器件结构包括：衬底、第一二维材料功能层、第一二维材料介质层、二维材料共栅极层、第二二维材料介质层、第二二维材料功能层、源极及漏极，第一、二二维材料功能层形成有源区及漏区，源极连接多个源区并实现源区的电引出；漏极连接多个漏区并实现漏区的电引出。本发明实现了二维材料场效应晶体管的垂直互联设计，所用绝缘介质层、功能层、栅电极等均为二维材料，二维材料垂直方向尺寸极小，可以极大程度缩减器件垂直方向尺度，因此本发明可有效实现垂直方向的三维器件集成小型化。 |
