一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法

基本信息

申请号	CN202011625259.7	申请日	-
公开（公告）号	CN112811901A	公开（公告）日	2021-05-18
申请公布号	CN112811901A	申请公布日	2021-05-18
分类号	C04B35/47;C04B35/622;C04B35/64;C04B41/87	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	杜君;程华容;王新;祁晓旭;赵伟利;王帅	申请（专利权）人	北京元六鸿远电子科技股份有限公司
代理机构	北京汇信合知识产权代理有限公司	代理人	林聪源
地址	100070 北京市丰台区海鹰路1号院5号楼3层3-2（园区）
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高介晶界层陶瓷材料及晶界层陶瓷基板的制备方法，陶瓷材料包括：主体材料：钛酸锶；施主材料：La2O3和Nb2O5；烧结助剂：SiO2和Li2CO3；受主材料：Bi2O3、CuO和ZnO中的一种或多种；烧结助剂用于降低瓷料烧结温度并促进晶粒发育；受主材料作为氧化烧结的晶界绝缘化涂覆料；基于上述陶瓷材料以二次烧结完成晶界层陶瓷基板制备，分别为还原半导体化烧结和氧化晶界层绝缘烧结。本发明在陶瓷材料中掺加助烧剂并采用二次烧结方式制备陶瓷基板，一方面节省能源，另一方面可以在较低烧结温度下得到较大尺寸粒径，有利于介电常数提高；同时，在晶界绝缘化过程中，添加ZnO，提升产品绝缘电阻和绝缘强度。