等离子体增强电化学表面陶瓷化的能量控制方法
基本信息
| 申请号 | CN97104035.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1163323A | 公开（公告）日 | 1997-10-29 |
| 申请公布号 | CN1163323A | 申请公布日 | 1997-10-29 |
| 分类号 | C25D11/02 | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 李欣;董作人;左洪波;孔庆山;米东辉 | 申请（专利权）人 | 哈尔滨环亚微弧技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京申翔知识产权服务公司专利代理部 | 代理人 | 哈尔滨环亚微弧技术有限公司;哈尔滨三利亚股份有限公司 |
| 地址 | 150036黑龙江省哈尔滨市高新技术开发区23号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种适用于大规模工业生产的等离子体增强电化学表面陶瓷化技术的控制方法。该方法在已有的电解质溶液和相应的工艺条件下通过电能使作为阳极的金属基体表面等离子弧光放电，进行电化学阳极氧化，形成具有陶瓷结构的膜层时，采用三相桥式断续周波全控整流的方法，控制可控硅的导通角和单位时间内导通的周波数，作用于工件表面微等离子体的能量(即烧结能量)得到合理控制，避免了在烧结过程中出现的“欠烧”、“过烧”及“烧蚀”现象，同时又减少了对网络的谐波污染。 |
