石墨悬浮式冷坩埚制取高纯氧化铝多晶体的工艺方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

石墨悬浮式冷坩埚制取高纯氧化铝多晶体的工艺方法

基本信息

申请号	CN201710970654.0	申请日	-
公开（公告）号	CN107502951B	公开（公告）日	2020-01-31
申请公布号	CN107502951B	申请公布日	2020-01-31
分类号	C30B28/06;C30B29/20	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	张清勇;唐皇哉;胡树金	申请（专利权）人	睿为电子材料（天津）有限公司
代理机构	天津市鼎和专利商标代理有限公司	代理人	睿为电子材料（天津）有限公司
地址	300382 天津市西青区学府工业区学府西路2号东区D6号厂房A座一层
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种石墨悬浮式冷坩埚制取高纯氧化铝多晶体的工艺方法，采用首先向冷坩埚内装填高纯氧化铝原料粉体后压实，使压实后的原料粉体高度处于高频感应线圈上沿和下沿高度之间；然后再将纯度大于99.99％的高纯石墨片放在铺好的底料上，再在石墨片上均匀盖一层1cm高不压实的原料粉体；启动坩埚水冷系统，开启感应线圈电源，进行感应加热；石墨片被快速升温加热到3000℃以上，快速熔化附近的原料粉体，最终全部熔化形成氧化铝熔池，使得石墨片漂浮在熔池上面并接触空气；冷坩埚开始下降，继续向冷坩埚中加入原料粉，使石墨片始终漂浮在熔池最上面和空气接触不断被氧化成二氧化碳气体，直至最终消失，最后完成高纯氧化铝多晶体的生产。