用于冷坩埚制备高纯氧化铝多晶体的引晶除杂装置
基本信息
| 申请号 | CN201721384591.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207525374U | 公开（公告）日 | 2018-06-22 |
| 申请公布号 | CN207525374U | 申请公布日 | 2018-06-22 |
| 分类号 | C30B28/06;C30B29/20 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 唐皇哉;胡树金;张清勇 | 申请（专利权）人 | 睿为电子材料（天津）有限公司 |
| 代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人 | 睿为电子材料（天津）有限公司 |
| 地址 | 300382 天津市西青区学府工业区学府西路2号东区D6号厂房A座一层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种用于冷坩埚制备高纯氧化铝多晶体的引晶除杂装置，该装置包括装有高纯氧化铝熔体的冷坩埚、电磁感应线圈、双层水冷铜管和升降系统，双层水冷铜管连接于控制双层水冷铜管升降的升降系统上，双层水冷铜管可插入冷坩埚内的高纯氧化铝熔体中。通过将通有循环冷却水的双层水冷铜管插入熔体中，通过定向凝固的方式，使熔体中的杂质逐步凝结在双层水冷铜管上，可在冷坩埚中熔体未完全结晶凝固前将熔体中的杂质提取出来，可以将纯度为99.995％的氧化铝提纯到99.999％，无需在将高纯氧化铝多晶体进行破碎除杂，节省了大量人力物力，一定程度上提高了后续单晶炉内原料的装填密度，进而提高蓝宝石单晶质量，节约能源。 |
