一种用于半导体封装的锡球制造方法及设备

基本信息

申请号 CN201310006509.2 申请日 -
公开(公告)号 CN103252500B 公开(公告)日 2017-08-22
申请公布号 CN103252500B 申请公布日 2017-08-22
分类号 B22F9/10(2006.01)I 分类 铸造;粉末冶金;
发明人 姚玉 申请(专利权)人 深圳市创智材料科技有限公司
代理机构 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 代理人 深圳市创智成功科技有限公司;江苏矽智半导体科技有限公司
地址 518000 广东省深圳市宝安区福永街道塘尾富源工业区一区B2幢(1楼C、2楼北)
法律状态 -

摘要

摘要 本发明创造公开了一种用于半导体封装的锡球制造方法及设备,其方法是将锡料投入熔化炉中熔化并保持锡液温度到250‑450℃;熔化后的锡液经过导管连续均匀的流入转速达500‑3000转/分钟并经过预热(预热温度与锡液温度相同)的半球形转盘中,再从转盘的喷嘴射出大小均一的锡球,掉入装有冷却液的容器中冷却成型。然后经过清洗,抗氧化处理,筛选,检验及包装得到产品。所述锡球制造设备包括熔化炉,管道,喷射成型装置三个部分。本发明创造采用连续进料方式,锡球产率大大提升,同时产量也可灵活控制,生产的锡球颗粒均一,真圆度高,且设备简单,操作方便,生产成本低。