一种复合式钝化膜及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202110104053.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113436959A | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN113436959A | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周炳;王源政;闵财荣;周兵兵 | 申请（专利权）人 | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 王丽 |
| 地址 | 334200江西省上饶市德兴市高新技术产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种复合式钝化膜及其制作方法，所述方法包括：获取的包含硅分子的平面结构器件；在所述平面结构器件上平铺第一钝化层，所述第一钝化层为氧化硅层；在所述第一钝化层上平铺第二钝化层，所述第二钝化层为磷硅层；在所述第二钝化层上平铺第三钝化层，所述第三钝化层为氮硅层；在所述第三钝化层上平铺绝缘薄膜。本发明可以为平面硅结构器件提供更好的钝化保护。 |
