一种GaN器件及其生成方法、SiC衬底的剥离方法及其剥离装置
基本信息
| 申请号 | CN202110105119.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112885723A | 公开（公告）日 | 2021-06-01 |
| 申请公布号 | CN112885723A | 申请公布日 | 2021-06-01 |
| 分类号 | H01L21/335;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812;H01L29/778;H01L29/20;H01L21/02;H01L21/67;C30B25/18;C30B29/40 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周炳;翁加付;王源政;闵财荣 | 申请（专利权）人 | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
| 代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人 | 王丽 |
| 地址 | 334200 江西省上饶市德兴市高新技术产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种一种GaN器件及其生成方法、SiC衬底的剥离方法及其剥离装置，所述GaN器件的生成方法包括：在SiC衬底上形成Nb2N层；在所述Nb2N层上依次形成若干GaN器件层。本发明可重复使用GaN器件层中的SiC衬底。 |
