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一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构

基本信息

申请号 CN201921929809.7 申请日 -
公开（公告）号 CN211017015U 公开（公告）日 2020-07-14
申请公布号 CN211017015U 申请公布日 2020-07-14
分类号 H01L21/67(2006.01)I 分类 -
发明人 薛芳峰;吴方军;乔德定;严建华;喻建华;祝文星;周仕民 申请（专利权）人 德兴市意发功率半导体有限公司
代理机构 南昌卓尔精诚专利代理事务所（普通合伙） 代理人 德兴市意发功率半导体有限公司
地址 334000江西省上饶市德兴市高新技术产业园
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种IGBT芯片生产用去膜装置的降噪机构，包括机箱，所述机箱的顶部固定连接有加工箱，所述加工箱内壁的底部固定连接有去膜吸盘，所述去膜吸盘的表面设置有防护套，所述防护套内壁的底部横向固定连接有固定环，所述防护套的两侧均设置有拉盘，所述拉盘的内侧固定连接有拉杆，所述拉杆的内侧贯穿防护套并延伸至固定环的内部固定连接有移动板，所述移动板的内侧固定连接有卡杆。本实用新型通过设置机箱、加工箱、去膜吸盘、防护套、固定环、拉盘、拉杆、卡杆、去膜板、盖板和移动板的配合，使防护套与盖板接触，对去膜吸盘产生的噪音进行隔离，解决了现有的IGBT芯片生产用去膜装置不能进行降噪的问题。