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一种双面散热半导体IGBT管

基本信息

申请号	CN202120214287.3	申请日	-
公开（公告）号	CN214313602U	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN214313602U	申请公布日	2021-09-28
分类号	H01R13/02（2006.01）I;H01R13/502（2006.01）I;H01R13/40（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	周炳;王啸;付国振;薛芳峰	申请（专利权）人	德兴市意发功率半导体有限公司
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司	代理人	王丽
地址	334200江西省上饶市德兴市高新技术产业园
法律状态	-

摘要

本实用新型公开一种双面散热半导体IGBT管，包括集电插针A、集电插针B、集电插针C和IGBT管主体，所述IGBT管主体的下端安装有集电插针A、集电插针B和集电插针C，所述集电插针A位于集电插针B的左侧，通过在该半导体IGBT管的三个集电插针顶端外部增加有一个新型的插针加固装置，该新型的插针加固装置在不影响到整个半导体IGBT管正常安装操作的基础上又能够对三个集电插针起到加固与防折断作用，三个集电插针顶端通过该新型的插针加固装置进行加固之后既不会影响到集电插针的正常弯折，又能够对集电插针的固定端起到加固作用，从而能够在安装该半导体IGBT管时可根据安装需求及时进行调整，且又不会损伤到整个半导体IGBT管。