一种基于N型注入层的IGBT芯片专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种基于N型注入层的IGBT芯片

基本信息

申请号	CN202120212809.6	申请日	-
公开（公告）号	CN214279971U	公开（公告）日	2021-09-24
申请公布号	CN214279971U	申请公布日	2021-09-24
分类号	H01L23/60（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	周炳;闵财荣;周兵兵;薛芳峰	申请（专利权）人	德兴市意发功率半导体有限公司
代理机构	苏州国诚专利代理有限公司	代理人	王丽
地址	334200江西省上饶市德兴市高新技术产业园
法律状态	-

摘要

本实用新型公开一种基于N型注入层的IGBT芯片，包括基板和衬底，所述基板的顶端安装有衬底，所述衬底的顶端设置有IGBT板，所述IGBT板和衬底的外侧设置有软熔铸，所述软熔铸的外侧设置有外壳B，所述外壳B的顶端贯穿有电源端子、辅助端子A和辅助端子B，首先需要向内按压按压开关，在按压开关之后内部的弹簧就会收缩，接着就会带动连接杆的上端围绕转轴想内运动，这时候连接杆的下端就会围绕转轴向外移动，这时候连接杆的下端就会带动橡胶防滑垫向外移动，这时候把外壳B放在内部然后松开便完成了，这样在运送的时候，两个相邻原件之间就不会有静电发生，这样在运送的时候就会更加的安全，这样还能防止在运送的时候两个元件之间的碰撞。