一种基于氮化物MicroLED阵列的显示结构
基本信息
申请号 | CN202120684323.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN216054710U | 公开(公告)日 | 2022-03-15 |
申请公布号 | CN216054710U | 申请公布日 | 2022-03-15 |
分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/08(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 金重星;何昆鹏;刘宇;吴振志;邱荣邦;吴涵渠 | 申请(专利权)人 | 深圳市奥拓电子股份有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 518000广东省深圳市罗湖区清水河街道清水河社区清水河一路112号深业进元大厦塔楼2座1805 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型涉及一种基于氮化物Micro LED阵列的显示结构,包括:基板;氮化物中间层,设置于所述基板的一面上;第一N型层,设置于所述氮化物中间层上;若干个N型接触端,设置于所述第一N型层上;若干个Micro LED单元,阵列排布设置于若干个所述N型接触端上,每列所述Micro LED单元连接共用一个所述N型接触端;若干个隔离栅,设置于若干个所述Micro LED单元之间,所述隔离栅纵向深度最低至所述第一N型层底部;集成电路,设置于所述基板另一面上。本实用新型每列的Micro LED单元共用一个N型接触端,减少驱动芯片使用量,减少线路,更适用于小间距产品,能够驱动更多的Micro LED单元,提高整个显示结构的工作效率。 |
