半导体化合物

基本信息

申请号 CN201280024702.2 申请日 -
公开(公告)号 CN103636020B 公开(公告)日 2016-12-28
申请公布号 CN103636020B 申请公布日 2016-12-28
分类号 H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 贝弗莉·安妮·布朗;西蒙·多米尼克·奥吉尔;马可·帕伦博;克里·劳拉·梅可;雷蒙德·费希尔;迈克尔·詹姆斯·西姆斯;尼尔·大卫·佛利斯特;亚伦·詹姆斯·佩吉;斯图尔特·埃德蒙·威利茨;朱莉·戴安·埃利斯·琼斯 申请(专利权)人 武汉领挚科技有限公司
代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司 代理人 纽多维有限公司;武汉领挚科技有限公司
地址 英国柴郡麦克莱斯菲尔德镇阿尔德利公园生科园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明包含一种半导体聚合物,其在1000Hz下的电容率大于3.4且在纯态下的电荷迁移率大于10‑7cm2V‑1s‑1且更优选地大于10‑6cm2V‑1s‑1。优选的聚合物包括具有特定氰基和/或烷氧基取代的三芳基胺的重复单元。它们适用于诸如有机薄膜晶体管的电子元件中。