半导体化合物
基本信息
申请号 | CN201280024702.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103636020B | 公开(公告)日 | 2016-12-28 |
申请公布号 | CN103636020B | 申请公布日 | 2016-12-28 |
分类号 | H01L51/00(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 贝弗莉·安妮·布朗;西蒙·多米尼克·奥吉尔;马可·帕伦博;克里·劳拉·梅可;雷蒙德·费希尔;迈克尔·詹姆斯·西姆斯;尼尔·大卫·佛利斯特;亚伦·詹姆斯·佩吉;斯图尔特·埃德蒙·威利茨;朱莉·戴安·埃利斯·琼斯 | 申请(专利权)人 | 武汉领挚科技有限公司 |
代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 纽多维有限公司;武汉领挚科技有限公司 |
地址 | 英国柴郡麦克莱斯菲尔德镇阿尔德利公园生科园 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明包含一种半导体聚合物,其在1000Hz下的电容率大于3.4且在纯态下的电荷迁移率大于10‑7cm2V‑1s‑1且更优选地大于10‑6cm2V‑1s‑1。优选的聚合物包括具有特定氰基和/或烷氧基取代的三芳基胺的重复单元。它们适用于诸如有机薄膜晶体管的电子元件中。 |
