一种薄膜晶体管及其修复方法
基本信息
| 申请号 | CN201910066032.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109860279B | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN109860279B | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | H01L29/417（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 戴超;史碧玉 | 申请（专利权）人 | 冠捷电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许静 |
| 地址 | 210033 江苏省南京市栖霞区天佑路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其修复方法，涉及液晶显示技术领域；该薄膜晶体管包括由下至上依次形成的栅极金属层、栅极绝缘层、半导体层、刻蚀阻挡层和源漏极金属层，薄膜晶体管包括功能区和分别位于功能区两侧的两个牺牲区；栅极金属层包括位于功能区内的第一栅极、分别位于两个牺牲区内的第二栅极和第三栅极、连接第一栅极和第二栅极的第一栅极连接部和连接第一栅极和第三栅极的第二栅极连接部；牺牲区负责承受静电导致的半导体层欠损，避免栅极‑源漏极短接对功能区产生影响，解决氧化物半导体层欠损导致的栅极‑源漏极短接的问题。 |
