一种氧化物半导体薄膜晶体管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201810381129.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110400754B | 公开（公告）日 | 2022-03-08 |
| 申请公布号 | CN110400754B | 申请公布日 | 2022-03-08 |
| 分类号 | H01L21/465（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵文达;戴超 | 申请（专利权）人 | 冠捷电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许静 |
| 地址 | 210033 江苏省南京市栖霞区天佑路7号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括在形成源极和漏极后，使用两种或两种以上气体对氧化物半导体层构成的沟道区域进行等离子体处理，其中至少包括一种非氧化性气体；本发明的制造方法有效避免了使用单种非氧化性气体进行等离子体处理导致的电弧放电问题和使用单纯氧化性气体进行等离子体处理导致的源漏极氧化问题，并且获得的薄膜晶体管具有优良的器件特性和均一性。 |
