通过湿化学法选择性去除Si3N4
基本信息
| 申请号 | CN202080015854.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113632199A | 公开（公告）日 | 2021-11-09 |
| 申请公布号 | CN113632199A | 申请公布日 | 2021-11-09 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I;H01L21/311（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李卫民 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鹰翅知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王怡瑾;周婧 |
| 地址 | 上海市嘉定区兴贤路1180号1幢3层301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种用于处理衬底的系统和一种用于处理衬底的方法。用于处理基板的系统包括被配置为接收基板的处理室，其中基板暴露于处理室中的蚀刻剂以移除基板的一部分并产生对基板的通路。蚀刻液中的副产物；副产物去除部，用于将副产物转化为沉淀物并去除沉淀物，从而去除副产物。去除副产物后，蚀刻溶液循环回到处理室。 |
