高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法
基本信息
| 申请号 | CN202111137580.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113862625A | 公开（公告）日 | 2021-12-31 |
| 申请公布号 | CN113862625A | 申请公布日 | 2021-12-31 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I;C23C14/50（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李卫民;吴挺俊;陈玲丽;朱雷;俞文杰 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区兴贤路1180号1幢3层301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高通量薄膜沉积设备及薄膜沉积方法。设备包括腔体、载台、靶枪、第一气体供给系统及第二气体供给系统；腔体包括相互连通的溅射部和沉积部，溅射部位于沉积部的上方，溅射部的水平表面积小于沉积部的水平表面积；靶枪位于溅射部内，靶枪上设置有靶材；载台用于承载待沉积的衬底，衬底上具有待沉积区，沉积过程中，待沉积区位于靶枪的正下方；第一气体供给系统包括第一气体管路和第一气体喷淋头，第一气体喷淋头为复数个；第二气体供给系统包括第二气体管路，一端与第二气体源相连通，另一端延伸到沉积部内，以向沉积部供应第二气体，第二气体包括反应气体和/或保护气体。本发明有助于提高沉积效率和良率。 |
