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压电薄膜体声波谐振器及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111045283.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113708740A 公开（公告）日 2021-11-26
申请公布号 CN113708740A 申请公布日 2021-11-26
分类号 H03H9/17（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分类 基本电子电路;
发明人 朱宇波;李卫民;母志强;吴挺俊;朱雷;俞文杰 申请（专利权）人 上海集成电路材料研究院有限公司
代理机构 上海光华专利事务所（普通合伙） 代理人 卢炳琼
地址 201800上海市嘉定区兴贤路1180号1幢3层301室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种压电薄膜体声波谐振器及其制备方法，制备方法通过层转移技术将高质量压电薄膜的生长与谐振器工艺分离，且空腔谐振区域只有多层薄膜构成的谐振结构，而引出电极及通孔等结构均远离空腔，可以避免产生杂波。本发明相比现有技术，形成空腔无需引入牺牲层，简化了工艺流程；第一电极与压电薄膜之间的界面为光滑平面，避免了产生应力问题和杂散振动；引出电极等结构远离谐振区域，避免产生杂波；采用本发明的制备方法无需复杂的背面工艺及精确对准过程，并且通过转移高质量压电薄膜，可以得到高频率、高耦合系数且高Q的谐振器。