溅射沉积设备及溅射沉积方法
基本信息
| 申请号 | CN202111137578.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113862624A | 公开（公告）日 | 2021-12-31 |
| 申请公布号 | CN113862624A | 申请公布日 | 2021-12-31 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李卫民;吴挺俊;陈玲丽;朱宇波;朱雷;俞文杰 | 申请（专利权）人 | 上海集成电路材料研究院有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 卢炳琼 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区兴贤路1180号1幢3层301室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种溅射沉积设备和方法。设备包括腔体、复数个靶枪、惰性气体供应系统及第二气体供应系统；靶枪位于腔体内，各靶枪上均设置有靶材，复数个靶材绕一垂线对称设置以使得复数个靶材的辉区至少部分重叠以形成重叠沉积区；腔体内设置有载台，衬底上具有待沉积区，待沉积区位于重叠沉积区；第二气体供应系统包括第二气体管路，以向衬底表面供应第二气体；惰性气体供应系统包括惰性气体喷淋头，惰性气体喷淋头位于腔体内，用于朝复数个靶材的包含重叠沉积区在内的辉区供应惰性气体，以将靶材溅射出的粒子带到衬底表面。本发明有助于提高多靶共溅射制备的薄膜的均匀性，有助于延长靶材寿命和提高工艺良率。 |
