一种半导体器件的功率循环测试系统
基本信息
| 申请号 | CN201810651955.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108646163A | 公开（公告）日 | 2018-10-12 |
| 申请公布号 | CN108646163A | 申请公布日 | 2018-10-12 |
| 分类号 | G01R31/26 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 邓二平;陈杰;郭楠伟;赵志斌;黄永章 | 申请（专利权）人 | 北京华电锐拓科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 华北电力大学 |
| 地址 | 100000 北京市昌平区回龙观镇北农路2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件的功率循环测试系统。功率循环测试系统包括：控制器、驱动器、至少一条测试支路、直流电源和水冷器，每条所述测试支路包括一个测试支路开关、与测试支路开关串联的若干待测半导体器件，且各个待测半导体器件串联连接。本发明提供的功率循环测试系统可通过有效地利用一条被测支路的降温时间来对其他被测支路的器件进行加热，待测半导体器件的数量较多，能够极大地提高功率循环测试系统的测试效率。同时，由于本发明提供的功率循环测试系统设置有多条并联的测试支路，因此，用户可以根据实际需求进行多种测试功能的切换，可对不同厂家或型号的器件在同一测试条件下进行对比测试。 |
