一种溶剂热法制备Sm<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 纳米阵列的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种溶剂热法制备Sm₂O₃ 纳米阵列的方法

基本信息

申请号	CN201310284858.0	申请日	-
公开（公告）号	CN103352251B	公开（公告）日	2015-07-08
申请公布号	CN103352251B	申请公布日	2015-07-08
分类号	C30B29/16(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	殷立雄;王丹;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;曹丽云;吴建鹏	申请（专利权）人	盐城市枯枝牡丹旅游开发投资有限公司
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	陕西科技大学;深圳鹏渤信息科技有限公司
地址	712081 陕西省咸阳市人民西路49号
法律状态	-

摘要

一种溶剂热法制备Sm₂O₃纳米阵列的方法，首先配制Sm³⁺溶液A；向溶液A中加入聚乙烯醇水溶液得到镀膜液；在单晶硅（100）基板表面均匀涂覆一层镀膜液后烘干，再热处理，配制Sm³⁺溶液B，然后调节溶液B的pH为5.5～7.0得到生长液；将生长液倒入水热反应釜中，将处理后的硅基板浸入其中，密封反应釜，放入电热真空干燥箱中反应完成后取出基板清洗后置于真空干燥箱内干燥，即在基板表面获得Sm₂O₃纳米阵列。本发明制备Sm₂O₃纳米阵列的反应在液相中完成，不需要借助于硬模板，从而避免了去除模板过程中对产物结构及性能的影响；不需要进行后期的晶化热处理，从而避免了Sm₂O₃纳米阵列在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜与衬底或气氛反应等缺陷。