一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法
基本信息
申请号 | CN201310284857.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN103352250B | 公开(公告)日 | 2015-09-30 |
申请公布号 | CN103352250B | 申请公布日 | 2015-09-30 |
分类号 | C30B29/16(2006.01)I;C30B7/10(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
发明人 | 殷立雄;王丹;黄剑锋;郝巍;李嘉胤;曹丽云;吴建鹏 | 申请(专利权)人 | 盐城市枯枝牡丹旅游开发投资有限公司 |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陕西科技大学 |
地址 | 712081 陕西省咸阳市人民西路49号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法,将SmCl3·6H2O加入去离子水中得透明溶液;调节透明溶液的pH调节至4.5~5.5后再加入聚乙烯醇水溶液得镀膜液;在ITO导电玻璃基板表面均匀涂覆一层镀膜液后干燥并热处理;将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中再用调节其pH调至5.0~5.8作为生长液;将上述生长液倒入水热釜中,将经过热处理后的ITO导电玻璃基板浸入其中,密封水热釜,放入电热真空干燥箱中,反应结束后自然冷却至室温;取出基板,洗涤后真空干燥即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。本发明制备Sm2O3纳米阵列的反应在液相中完成,不需要进行后期的晶化热处理,从而避免了Sm2O3纳米阵列在热处理过程中可能导致的卷曲、干裂、晶粒粗化以及薄膜与衬底或气氛反应等缺陷。 |
