一种羟基修饰无定形SiOx壳层包覆纳米硅负极材料、制备方法及负极片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010192833.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111342027A | 公开（公告）日 | 2020-06-26 |
| 申请公布号 | CN111342027A | 申请公布日 | 2020-06-26 |
| 分类号 | H01M4/36(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 慈立杰;郭建光;王预 | 申请（专利权）人 | 深圳索理德新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳智趣知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳索理德新材料科技有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙岗区坂田街道杨美社区布龙路524号坂田中心大厦706 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种羟基修饰无定形SiOx壳层包覆纳米硅锂离子电池负极材，是外表包覆有一层为0.5‑5纳米的羟基修饰无定形SiOx层的纳米单质硅颗粒，纳米单质硅颗粒的粒径为20‑60nm。所述材料通过以下方法制得：1)、配制乙醇水溶液；2)、向上述溶液中加入纳米硅颗粒，超声，形成均一的悬浊液；3)、将悬浊液静置，超声处理4)、将纳米硅颗粒和乙醇水溶液分离，将纳米硅材料置于真空烘箱中烘干，即可得到所述材料。本发明制得的材料，由厚度均匀的无定形SiOx包覆，对硅体积膨胀的抑制效果好，可逆容量低，且本发明所用的制备方法工艺简单，产品性能稳定，得率高，成本可控，材料可循环使用，对环境更友好。 |
