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一种碳化硅粉体的合成方法

基本信息

申请号	CN202110959887.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113501525A	公开（公告）日	2021-10-15
申请公布号	CN113501525A	申请公布日	2021-10-15
分类号	C01B32/984（2017.01）I;C01B32/977（2017.01）I	分类	无机化学;
发明人	陈豆;周玉洁;李坚;潘尧波	申请（专利权）人	中电化合物半导体有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	苗晓娟
地址	315336浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种碳化硅粉体的合成方法，该方法包括首先将摩尔比为1：1～1：2的碳粉和硅粉混合；再向所述碳粉和所述硅粉的混合料中加入聚碳硅烷混合均匀；将混合均匀的原料装入石墨坩埚中，并将所述石墨坩埚放入加热炉中；对所述加热炉的生长腔抽真空，并进行洗气预热；将所述加热炉升温至1100～1300℃，反应6～10小时；将所述加热炉升温至1900～2200℃，反应15～30小时。本发明一方面利用聚碳硅烷在高温下裂解的产物与环境中的吸附氮或其他异质元素反应，降低碳化硅粉体中异质元素，提高碳化硅粉体的纯度；另一方面利用聚碳硅烷加热呈熔体状态进而粘接周围的碳粉和硅粉，从而使其随温度升高形核长大成大颗粒碳化硅颗粒。