一种碳化硅单晶的液相生长用坩埚及生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202120154726.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214400800U | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN214400800U | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B15/12（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马远;潘尧波 | 申请（专利权）人 | 中电化合物半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 夏苗苗 |
| 地址 | 315336浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种碳化硅单晶的液相生长用坩埚及生长装置，所述碳化硅单晶的液相生长用坩埚包括：第一坩埚主体，所述第一坩埚主体用于为所述碳化硅单晶提供液相生长场所；第二坩埚主体，所述第二坩埚主体内设有盛放原料碳的空间；其中，所述第一坩埚主体和第二坩埚主体之间通过至少一石墨管连接形成通路，原料硅和所述原料碳通过所述通路在所述第一坩埚主体和所述第二坩埚主体之间流动扩散，液相生长得到所述碳化硅单晶。根据本实用新型可以有效地解决碳在溶硅溶液中溶解度过低，晶体无法长大的问题。 |
