一种碳化硅外延生长设备及其气源输送装置
基本信息
| 申请号 | CN202120381895.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214327969U | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN214327969U | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | C30B25/20（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 吴从俊;周长健 | 申请（专利权）人 | 中电化合物半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 苗晓娟 |
| 地址 | 315336浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种碳化硅外延生长设备及其气源输送装置，其中，所述气源输送装置包括多个气源入口；气源输送通道，内部至少设有一个锥形结构体，所述锥形结构体将所述气源输送通道的内腔分隔成多个相互独立的通道；及气源混合区，设置在所述气源输送通道的出口端；所述气源入口的数量与所述气源输送通道的内部的通道数量一致。本实用新型的气源输送装置使生长源进入反应室之前混合更加均匀，提高碳化硅外延层的厚度均匀性及掺杂浓度的均匀性。 |
