一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法
基本信息
| 申请号 | CN202011041383.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112160028B | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN112160028B | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | C30B29/36;C30B23/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马远;陈豆;薛卫明 | 申请（专利权）人 | 中电化合物半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 夏苗苗 |
| 地址 | 315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法。所述可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚包括：坩埚主体；原料腔，位于所述坩埚主体内，用于装填碳化硅单晶的生长原料；生长腔，位于所述坩埚主体内，并位于所述原料腔的上方，用于生长籽晶而获得碳化硅单晶；疏气腔，位于所述坩埚主体内，并位于所述原料腔的下方，所述疏气腔内具有疏气组件，用于向所述原料腔内释放卤素气体，以调节所述碳化硅单晶生长体系气氛。基于本发明可在晶体生长初期将卤素气体释放进入生长氛围，达到消耗晶体生长初期多余硅的目的，进而调节碳化硅单晶生长气氛的化学组成，提高碳化硅单晶质量以及减少对石墨坩埚的腐蚀。 |
