碳化硅外延片的反应室及其排气装置和半导体设备

基本信息

申请号 CN202023086331.1 申请日 -
公开(公告)号 CN213781995U 公开(公告)日 2021-07-23
申请公布号 CN213781995U 申请公布日 2021-07-23
分类号 H01L21/67(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 周长健;吴从俊 申请(专利权)人 中电化合物半导体有限公司
代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙) 代理人 苗晓娟
地址 315336浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种反应室的排气装置,其中,所述反应室包括腔体,所述排气装置位于所述腔体的一侧,用于将冗余气体排出所述腔体;所述排气装置包括排气口及设置在所述排气口上的均流装置,所述排气口设置在所述腔体一侧,所述均流装置包括基座和均流层,所述基座安装在所述排气口上,且所述基座为中空结构:所述均流层安装在所述基座上,所述均流层上设有多个排气孔。本实用新型结构简单,可实现腔体内各个方向气流更加均匀。本实用新型还提供一种包含上述排气装置的碳化硅外延片的反应室及包含上述反应室的半导体设备。