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石墨件及其处理方法、单晶生长设备

基本信息

申请号	CN202110645418.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113185324A	公开（公告）日	2021-07-30
申请公布号	CN113185324A	申请公布日	2021-07-30
分类号	C04B41/50;C01B32/21;C30B23/02;C30B25/18;C30B29/36;C30B29/40	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	薛卫明;马远;潘尧波	申请（专利权）人	中电化合物半导体有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	卢炳琼
地址	315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种石墨件及其处理方法，及单晶生长设备。处理方法包括步骤：1）对石墨件进行清洗干燥；2）于干燥的石磨件表面贴附与石墨件形状相匹配的石墨纸，之后进行固化；3）于石墨纸表面涂敷有机钽溶液，钽的涂覆量为0.001g/mm2‑10g/mm2，然后依次经干燥及高温烧结，从而在石墨纸表面获得有裂纹的碳化钽层；高温烧结的压力在0.01mbar以下，温度为1700℃‑2500℃，高温烧结时间为6h‑15h；4）将形成有碳化钽层的石墨件冷却后放入含硅材料中，在预设压力和预设温度下对石墨件进行预定时长的烘烤。相较于现有技术，本发明可以确保制备得到的石墨件在应用于热场环境中表面不被腐蚀，且准备完成的石墨件具有相当的强度，能够为PVT法单晶碳化硅晶体提供一定的结构支撑。