软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料及制备方法和应用
基本信息
申请号 | CN202010153328.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113363430A | 公开(公告)日 | 2021-09-07 |
申请公布号 | CN113363430A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
分类号 | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/38(2006.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 潘明军;刘柏男;罗飞 | 申请(专利权)人 | 溧阳天目先导电池材料科技有限公司 |
代理机构 | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人 | 李楠 |
地址 | 213300江苏省常州市溧阳市昆仑街道泓口路218号C幢132室(江苏中关村科技产业园内) | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明实施例涉及一种软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料及其制备方法和应用。所述硅基负极材料为粉体材料,粉末电导为2.0S/cm‑6.0S/cm;软碳包覆的硼掺杂硅基负极材料包括:90wt%‑99.49wt%的硅基粉体材料、0.01wt%‑3wt%的掺杂在硅基粉体材料中的掺杂材料和0.5wt%‑7wt%的软碳材料;硅基粉体材料具体为含有电化学活性粉体材料,包括纳米硅碳复合材料、氧化亚硅、改性氧化亚硅、掺杂氧化亚硅、无定型硅合金中的一种或者几种;掺杂材料包括硼化钛、氮化硼、三氯化硼、硼酸、三氧化二硼、四苯硼钠、硼氢化钠、或硼酸钠中的一种或多种;软碳材料包覆在硅基粉体材料外表面,构成所述硼掺杂硅基负极材料的包覆碳层。 |
