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一种硅基负极材料及其制备方法和应用

基本信息

申请号	CN202110524212.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113258053A	公开（公告）日	2021-08-13
申请公布号	CN113258053A	申请公布日	2021-08-13
分类号	H01M4/48（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M10/052（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	罗飞	申请（专利权）人	溧阳天目先导电池材料科技有限公司
代理机构	北京慧诚智道知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	李楠
地址	213300江苏省常州市溧阳市昆仑街道上上路87号15栋办公楼3层
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种硅基负极材料及其制备方法和应用。硅基负极材料包括：氧化亚硅基质和碳原子，其中所述碳原子以原子级别均匀分布在氧化亚硅基质中；碳原子与硅原子结合形成无序的C‑S i键，X射线衍射能谱（XRD）中无S i C的结晶峰；所述硅基负极材料的X射线光电子能谱（XPS）中，C 1s能谱分峰后在283.5±1eV位置处有属于C‑S i键的结合峰；所述硅基负极材料颗粒的平均粒径D50为1nm‑100μm，比表面积为0.5m/g‑40m/g；所述碳原子的质量占氧化亚硅基质质量的0.1％‑40％。本发明以气态处理所得超细的硅结合高导电的碳，形成了分子水平混合的无序C‑S i键结构，有利于减缓材料的体积膨胀，提升氧化亚硅内部的导电性，提升材料的快充性能。