选择性生长立式石墨稀的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610540870.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106191802A | 公开（公告）日 | 2016-12-07 |
| 申请公布号 | CN106191802A | 申请公布日 | 2016-12-07 |
| 分类号 | C23C16/04(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李葵阳 | 申请（专利权）人 | 重庆启越涌阳微电子科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 滑春生 |
| 地址 | 401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号一期标准厂房1号楼5层2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种选择性生长立式石墨稀的制备方法。选择性生长立式石墨稀的制备方法，包括以下步骤：提供金属掩膜板和含铁、钴或镍中的任意一种或多种组合的衬底，将金属掩膜板置于衬底上；将带有金属掩膜板的衬底置入物理气相沉积系统沉积遮蔽层；取下金属掩膜板，形成覆盖有图形化遮蔽层的衬底；接着在>800℃含有氢气的环境下进行退火；然后置入等离子辅助化学气相沉积系统进行生长，并通入氢气、氩气及含碳元素的气体。本发明选择性生长立式石墨稀的制备方法工艺步骤少，简单易操作，可节省成本。 |
