直立式石墨烯薄膜场发射阴极及其制作方法、电极
基本信息
| 申请号 | CN201610749482.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106128906A | 公开（公告）日 | 2016-11-16 |
| 申请公布号 | CN106128906A | 申请公布日 | 2016-11-16 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李葵阳 | 申请（专利权）人 | 重庆涌阳光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 滑春生 |
| 地址 | 401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号一期标准厂房1号楼5层2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种直立式石墨烯薄膜场发射阴极及其制作方法、电极，该阴极包括衬底，在衬底的预设区域上设置有多个相互独立的突起，每个突起顶端都设置有第一石墨烯薄膜且该第一石墨烯薄膜在突起顶端周边的厚度大于在突起顶端内部的厚度，各个突起之间设置有第二石墨烯薄膜，且针对至少一个突起，其顶端设置的第一石墨烯薄膜，相比于该突起与相邻突起之间设置的第二石墨烯薄膜存在高差。本发明可以提高石墨烯薄膜场发射阴极的电流发射能力。 |
