一种单晶加料装置

基本信息

申请号 CN202120362748.1 申请日 -
公开(公告)号 CN215163311U 公开(公告)日 2021-12-14
申请公布号 CN215163311U 申请公布日 2021-12-14
分类号 C30B35/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 高文飞 申请(专利权)人 云南宇泽半导体有限公司
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 王美章
地址 675099云南省楚雄彝族自治州楚雄市鹿城镇阳光大道楚风苑南门东侧
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种单晶加料装置,属于单晶硅技术领域。它包括炉体,其侧面开设有侧加料口;还包括外置加料机,其包括:基座;真空腔室,其滑动置于基座顶面,真空腔室上设有真空泵,内底部设有振动发生器;加料仓,其顶部与底部均开口,置于真空腔室上方,加料仓底部穿过真空腔室顶部的开口并伸入真空腔室中;波纹管,其可伸缩,真空腔室侧壁开口并与波纹管一端连通;加料盒,其一端置于真空腔室内的振动发生器上,进料口连通加料仓底部的开口;加料盒另一端穿过真空腔室侧壁开口并可从波纹管另一端伸出。本实用新型的装置加料效率高,加料过程中炉体内部压力变化波动小,且炉体内热量散失小,具有结构简单、设计合理、易于制造的优点。