用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法
基本信息
| 申请号 | CN202010495166.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111809237B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN111809237B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | C30B29/08;C30B15/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张路;于洪国;林泉;杜长岭;赵哲 | 申请（专利权）人 | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 佟林松 |
| 地址 | 065201 河北省廊坊市三河市燕郊兴都村南有研科技集团有限公司二部 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法，包括以下步骤：将锗料煅烧完成后；将籽晶插入锗熔体，待熔接稳定后设置第一晶体提拉速度，进行引晶；点动式开启、停止第二晶体提拉速度，控制所述脏料的边缘脱离锗熔体液面,脏料的中心区域与锗熔体相连，进行缩颈生长，再将第二晶体提拉速度调整至第一晶体提拉速度进行再放肩，继续生长晶体；待晶体直径长到目标直径时，再将第一晶体提拉速度调整至第二晶体提拉速度，如此反复操作，直至将锗熔体表面的浮渣粘完，该方法降低了粘出脏料所用时间，粘出脏料重量小，大大降低脏料因加工提纯带来的损耗。 |
