压力传感器敏感元件的制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN201310613099.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103606565B | 公开（公告）日 | 2016-05-11 |
| 申请公布号 | CN103606565B | 申请公布日 | 2016-05-11 |
| 分类号 | H01L29/84(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;G01L1/20(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程新利;唐运海;沈娇艳;王冰;秦长发;潘涛;臧涛成;王文襄 | 申请（专利权）人 | 昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司 |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 苏州科技学院;昆山双桥传感器测控技术有限公司;昆山昆博智能感知产业技术研究院有限公司 |
| 地址 | 215009 江苏省苏州市高新区科锐路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种压力传感器敏感元件的制造工艺，其第一、第二掺硼P型微晶硅条为由若干根沿径向排列的微晶硅电阻丝首尾连接组成；在杯形衬底附近通入高纯氧气与氩气的混合气体，混合气体氧气氩气体积比为1：13，总气压大小为Pa，在250℃温度下，用加速能量为2000eV的氩离子束轰击99.95%的二氧化硅靶材，沉积厚度1～5μm作为绝缘隔离层的二氧化硅隔离层；以电阻率为Ω﹒m掺硼硅为靶材，在高纯氩气的气氛中，用离子束溅射方法，生长温度为300℃，通过覆盖第一掩模板在二氧化硅隔离层上制备出厚度为1～5μm掺硼P型微晶硅条。本发明敏感层薄膜附着力强，既大大提升了量程，又提高了感应的精度和灵敏性，且提高了压力传感器的信号线性度。 |
