一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111553694.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114200695A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114200695A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | G02F1/03（2006.01）I;G02F1/035（2006.01）I | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 李彬;牛玉秀;潘小星;丁丽;陈小梅 | 申请（专利权）人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市爱迪森知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 何婷 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区邮科院路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及光纤传感和波导制备技术领域，提供了一种高偏振消光比铌酸锂波导器件及其制作方法。采用质子交换制备的铌酸锂波导由于提高TE传导模（或TM传导模）折射率、降低TM漏模（或TE漏模）折射率，因此天然具备单偏振传输特性，但是由于漏模在下表面或侧面反射，重新耦合进入波导区或输出光纤3，限制了其消光比在50dB左右。利用石墨的高吸收特性以及石墨与铌酸锂晶体相近的折射率，本发明采用石墨导电胶5涂覆于芯片下表面和侧面，大幅度降低漏模反射率，降低TM漏模（或TE漏模）耦合进入输出光纤3，具有提高铌酸锂波导的TE/TM偏振消光比的优点。 |
