一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法
基本信息
| 申请号 | CN202110683095.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113512764A | 公开（公告）日 | 2021-10-19 |
| 申请公布号 | CN113512764A | 申请公布日 | 2021-10-19 |
| 分类号 | C30B33/10;C30B29/18 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 万杨;吴丰顺;栾兴贺;张小伟;杨飞;黄大勇 | 申请（专利权）人 | 泰晶科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 441300 湖北省随州市曾都经济开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法，包括：双面镀膜、涂胶、双面曝光、显影、金属蚀刻、外形腐蚀、去胶、去金属、凹槽镀膜、涂胶、凹槽曝光、凹槽显影、凹槽蚀刻、凹槽去胶、第一次凹槽腐蚀、使用频率监测仪器将第一次凹槽腐蚀得到的mesa晶片进行全部测量，并将测试结果记录到计算机中，并计算出每片晶片的二次腐蚀时间，然后使用滴管依据加腐时间的先后顺序将腐蚀液滴入mesa晶片，最终腐蚀时间到达后将晶圆放入纯水中清洗烘干。本发明解决了现有石英晶圆腐蚀散差大的问题，尤其是在高频mesa晶片腐蚀生产上，同时也提高了产品量产合格率。 |
