一种具有高斯型电极结构的压电石英晶片及其制造工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110689183.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113271082A | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN113271082A | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H03H9/19（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 万杨;张小伟;李天宝;宴俊;刘明凡 | 申请（专利权）人 | 泰晶科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 441300湖北省随州市曾都经济开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种具有高斯型电极结构的压电石英晶片，包括石英基片，所述石英基片为圆形，所述石英基片正面上设置有上电极和上电极连接部，石英基片背面上有下电极和下电极连接部，所述上电极为高斯型，下电极呈圆形，上电极在石英基片上的投影面积与下电极对称分布在石英基片的上下两面，上电极连接部与下电极连接部分布于石英基片圆心的两侧，且它们的中心线位于石英基片的同一直径上。本发明还提供了一种具有高斯型电极结构的压电石英晶片的制造工艺。 |
