互补金属氧化物半导体图像传感器
基本信息
申请号 | CN202120976741.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN214705931U | 公开(公告)日 | 2021-11-12 |
申请公布号 | CN214705931U | 申请公布日 | 2021-11-12 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 周雪梅;陈鸿 | 申请(专利权)人 | 上海芯物科技有限公司 |
代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
地址 | 201800上海市嘉定区皇庆路333号3幢北楼3层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种互补金属氧化物半导体图像传感器。该互补金属氧化物半导体图像传感器包括:第一衬底,第一衬底的第一表面设置有感光区和像素电路区;N个像素单元;像素单元包括光电二极管和像素电路,像素电路位于像素电路区,包括第一栅极结构和悬浮漏极,光电二极管与悬浮漏极电连接;导电互连单元覆盖第一衬底的第一表面,用于将像素单元的电信号引出;第二衬底位于导电互连单元远离第一衬底一侧的表面;光反射电容单元位于第二衬底的表面,与悬浮漏极电连接。本实用新型实施例提供的技术方案,提高了图像传感器的获取的图像的真实度。 |
