背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110802231.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113540140A | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN113540140A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐文;杨京南 | 申请（专利权）人 | 上海芯物科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 王瑞云 |
| 地址 | 201800上海市嘉定区皇庆路333号3幢北楼3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制备方法。该互补金属氧化物半导体图像传感器的制备方法包括：提供第一晶圆；在第一晶圆的表面形成外延层，其中，外延层和第一晶圆的导电类型相同，且外延层的掺杂浓度小于第一晶圆的掺杂浓度，外延层内设置有至少一个像素单元；在外延层形成至少一个掺杂区，其中，掺杂区围绕像素单元设置；在第一晶圆的表面形成第二晶圆，其中，第二晶圆内设置有图像处理电路；通过湿法刻蚀工艺去除第一晶圆；通过湿法刻蚀工艺去除掺杂区。本方案相比于干法刻蚀，可以避免对硅表面的损伤，无需修复硅表面的损伤，由此降低互补金属氧化物半导体图像传感器在形成像素单元的隔离结构受到的损伤。 |
