一种高压半导体器件的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111489211.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114220764A | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN114220764A | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/762（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 上海芯物科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海大邦律师事务所 | 代理人 | 陈丹枫 |
| 地址 | 201899上海市嘉定区皇庆路333号3幢北楼3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高压半导体器件的制造方法，包括：提供一衬底，在所述衬底上形成所述高压器件的第一栅极结构及第一栅氧化层，所述第一栅极结构之间形成栅极沟槽，所述第一栅氧化层上具有所述第一栅极结构及栅极沟槽；依次淀积第一氮化层及第一氧化层；去除所述第一氧化层，使所述栅极沟槽的栅氧化层上形成第一隔离层；去除所述第一氮化层，使所述栅极沟槽的栅氧化层上形成第二隔离层；淀积第二氧化层及第二氮化层；去除所述第二氧化层、第二氮化层及第三隔离层，所述第三隔离层通过淀积所述第一氮化层、第一氧化层、第二氧化层及第二氮化层得到。本发明能够防止高压器件区栅氧化层的消耗，提高了高压器件的可靠性。 |
