一种栅氧化层生长监测方法
基本信息
| 申请号 | CN202111447958.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114220747A | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN114220747A | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L21/66（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 上海芯物科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海大邦律师事务所 | 代理人 | 陈丹枫 |
| 地址 | 201899上海市嘉定区皇庆路333号3幢北楼3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种栅氧化层生长监测方法，适于监测线宽在14纳米以下的半导体元件的栅氧化层生长，包括：提供一适于监测的晶圆，所述晶圆包括衬底及衬底表面；形成一单晶硅层于所述衬底表面；形成第一栅氧化层于所述单晶硅层；对所形成的第一栅氧化层厚度进行监测。本发明能够提高栅氧化层生长监测过程中栅氧化层生长厚度的稳定性，并提高监测晶圆的利用率。 |
