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半导体器件

基本信息

申请号 CN202120009885.7 申请日 -
公开（公告）号 CN213878715U 公开（公告）日 2021-08-03
申请公布号 CN213878715U 申请公布日 2021-08-03
分类号 H01S5/023（2021.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 陈家洛;陆翼森;于学成;赵卫东;杨国文;张艳春 申请（专利权）人 苏州度亘光电器件有限公司
代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 孙海杰
地址 215000江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括热沉单元、巴条单元和焊接结构；焊接结构包括至少两层相互连接且熔点不同的焊料层；焊接结构设置在热沉单元与巴条单元之间，用于将热沉单元与巴条单元连接。先将熔点最高的焊料层与热沉单元和巴条单元之中的一者连接，然后将焊接温度控制在焊料层的最高熔点温度与最低熔点温度之间，熔化后的焊料层再将熔点最高的焊料层与巴条单元和热沉单元中的另一者焊接连接，熔点最高的焊料层不熔化，且保持原有的厚度，连接在热沉单元与巴条单元之间，起到释放应力、减小应变的作用，能够缓解热沉单元和巴条单元之间的分离翘曲现象。