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一种带有屏蔽栅的超结IGBT及其制造方法

基本信息

申请号	CN201810968433.4	申请日	-
公开（公告）号	CN109037312A	公开（公告）日	2018-12-18
申请公布号	CN109037312A	申请公布日	2018-12-18
分类号	H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739	分类	基本电气元件;
发明人	秦旭光;吉炜	申请（专利权）人	无锡市乾野微纳电子有限公司
代理机构	深圳市顺天达专利商标代理有限公司	代理人	蔡晓红;柯夏荷
地址	516000 广东省惠州市云山西路4号德威大厦6层07号A区
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种带有屏蔽栅的超结IGBT及其制造方法，超结IGBT包括半导体基板，元胞区以及终端保护区，半导体基板包括第二导电类型集电极区、第一导电类型场终止层和至少一层的第一导电类型外延层；元胞区包括若干个相互并联连接的元胞，其包括若干个元胞沟槽以及填充于元胞沟槽内的栅极导电多晶硅和屏蔽栅，元胞沟槽相对栅极导电多晶硅的槽口两侧和侧壁上设有第七氧化层，栅极导电多晶硅和屏蔽栅之间设有第五氧化层，元胞沟槽相对屏蔽栅的底部和侧壁上设有第四氧化层；第一导电类型外延层内还设置有P柱，P柱的一端连接第二导电类型阱层，另一端朝向第一导电类型场终止层延伸。本发明采用屏蔽栅结构，降低了米勒电容，从而降低开关损耗。