一种碳化硅结势垒二极管
基本信息
| 申请号 | CN201710749274.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107393970B | 公开（公告）日 | 2020-02-14 |
| 申请公布号 | CN107393970B | 申请公布日 | 2020-02-14 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 蒲红斌;王曦;陈春兰 | 申请（专利权）人 | 无锡市乾野微纳电子有限公司 |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 李娜 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢6层613、614 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅结势垒二极管，将沟槽结构引入4H‑SiC结势垒二极管中，有效的提高4H‑SiC场控二极管的耐压性，改善了高压4H‑SiC结势垒二极管的阻断性能；本发明二极管使用外延形成用于阳极接触的重掺杂接触区，通过刻蚀技术在重掺杂接触区与沟道扩展区制作沟槽的方法，以及离子注入后无碳膜保护的激活退火方法，均有效增加了p结区结深，并改善了欧姆接触阳极的接触特性，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。 |
