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一种SiC沟槽型台阶状结势垒肖特基二极管

基本信息

申请号 CN201710792562.8 申请日 -
公开（公告）号 CN107591455B 公开（公告）日 2020-02-18
申请公布号 CN107591455B 申请公布日 2020-02-18
分类号 H01L29/872;H01L29/06 分类 基本电气元件;
发明人 蒲红斌;王曦;杜利祥;封先锋;臧源 申请（专利权）人 无锡市乾野微纳电子有限公司
代理机构 西安弘理专利事务所 代理人 王奇
地址 214000 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢6层613、614
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种SiC沟槽型台阶状结势垒肖特基二极管，包括SiC衬底；在SiC衬底上制作有第一外延层，即缓冲层；在第一外延层上制作有第二外延层，即漂移区；在第二外延层上端表面设置有多个沟槽结构，包围沟槽且延伸至沟道区的p结区；还包括位于诸沟槽外围且封闭的结终端；沟槽底、沟槽侧壁以及沟槽之间第二外延层表面覆盖有肖特基金属，肖特基金属覆盖有阳极压焊块；覆盖阳极压焊块边缘及结终端的绝缘介质薄膜，称为钝化层；SiC衬底背面覆盖有欧姆金属，欧姆金属覆盖有阴极压焊块；肖特基金属与阳极压焊块共同组成阳极，欧姆金属与阴极压焊块共同组成阴极。本发明的结构，更好的兼顾了器件的正向特性与反向特性。