横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法

基本信息

申请号	CN201310277894.4	申请日	-
公开（公告）号	CN103383959B	公开（公告）日	2015-10-28
申请公布号	CN103383959B	申请公布日	2015-10-28
分类号	H01L29/775(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	郝跃;马晓华;汤国平;陈伟伟;赵胜雷	申请（专利权）人	云南凝慧电子科技有限公司
代理机构	陕西电子工业专利中心	代理人	王品华;朱红星
地址	710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法，主要解决现有一维电子气器件高温高压特性、频率特性及功率特性较差的问题。该器件自下而上包括衬底、缓冲层、势垒层、钝化层和保护层；势垒层上的两端分别为源极和漏极，钝化层位于源极和漏极之间的势垒层上，该钝化层上开有栅槽，栅槽中设有栅极；势垒层采用AlGaN；缓冲层采用GaN，该缓冲层中设有按周期性排列的掩蔽层条，每两个掩蔽层条之间的间隔为纳米量级，以形成一维电子气。本发明与Si基和GaAs基一维电子气器件相比，由于采用材料特性突出的宽禁带半导体GaN，故具有很好的高温高压特性、频率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一维电子气器件。