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基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法

基本信息

申请号 CN201410272508.7 申请日 -
公开（公告）号 CN104009157B 公开（公告）日 2016-10-12
申请公布号 CN104009157B 申请公布日 2016-10-12
分类号 H01L47/02(2006.01)I;H01L47/00(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨林安;许详;李亮;张进成;郝跃 申请（专利权）人 云南凝慧电子科技有限公司
代理机构 陕西电子工业专利中心 代理人 王品华;朱红星
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件输出功率低、散热性差的问题。该二极管包括主体部分和辅体部分，该主体部分自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、n+GaN阴极欧姆接触层、电子发射层、n?GaN有源层和n+GaN阳极欧姆接触层；辅体部分包括环形电极、衬底电极、圆形电极、钝化层、开孔和通孔。其中：电子发射层厚度为200～600nm，且采用自下而上先由0％线性渐变到100％，再由100％线性渐变到0％的双线性渐变Al组分AlGaN结构。本发明能显著减小“死区”长度、降低位错浓度，实现大功率输出，适用于太赫兹频段工作。